Attolight CL-SEM系统在光电失效分析方面的应用

　　凯时88光电集成电路群同步点缺陷指令时延结构主要是通过外延生长在蓝宝石衬底上，但由于成本原因，硅成为蓝宝石的代替者。然而，硅和氮化物之间巨大的不配合和热膨胀系数的差异导致大量的位错和可能的裂纹。应用都是有害的，所以确定局部缺陷浓度和其他特征如掺杂和应变是至关重要的。

　　阴极发光(CL)技术是研究GaN性质的一种快速和高度相关的方法。非辐射缺陷如位错的分布可以直观地显示出来。以下的能带隙发射线的能量允许我们识别点缺陷。阴极发光高光谱图提供了应变、掺杂、生长方向和载流子浓度的空间变化信息。在实际应用中，通过限制电子束与样品相互作用体积的大小，可以大大提高空间分辨率。像TEM样品这样的薄物体的使用恰好克服了这种物理限制。它显著地将相互作用体积的横向尺寸从550 nm(束能为10 keV的GaN)降低到30 nm以下。Attolight设计了一种与TEM样品兼容的特殊低温样品架，用于低温下在Attolight阴极发光显微镜上进行测量。

　　Attolight CL系统优化后的集光系统完美地克服了这一困难。它允许在短时间内对横断面TEM样品进行高分辨率的高光谱映射(具有非常高的信噪比)。这样的测量并不局限于氮化镓，并且可以扩展到许多其他发光材料。

　　Attolight阴极发光显微镜在LED光电失效分析应用层面的完美体现，它做到了以下4个方面使Attolight阴极发光显微镜成为光电失效分析及LED应用方面的优先选择。

　　我与NanoTemper的故事(2) 南京农业大学_MST是检测小分子研究的不二之选！

　　盛瀚大湾区创新中心起航仪式暨大湾区分析仪器应用技术创新联盟启动会成功举办！

　　北京正通远恒邀请您参加 Micro Materials 2023 中国用户在线研讨会

　　北京正通远恒科技有限公司将参展2023全国固态电池产业生态大会暨青年英才论坛

　　基因和细胞治疗解决方案详解：加速的实验室——丹纳赫 以科技加速新疗法开发